《微处理机》（双月刊）创刊于1979年，由中国电子科技集团公司第四十七研究所主办。是一本集学术性、技术性、实用性和情报性于一体的全国性技术刊物。

《微处理机》主要刊载国内外新的各种微处理器、微控制器、微机外围电路和专用集成电路的发展动态、设计、测试、新工艺、开发与应用，以及微机系统与微机软件的开发等方面的科技论文。本刊将优先发表各种基金资助项目的研究成果。

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年度被引次数报告 (学术成果产出及被引变化趋势)

• 围栅硅纳米线MOSFET器件的仿真研究

  随着大规模集成电路的发展,IC工艺特征尺寸逐渐进入了纳米量级,与此伴随而生了不可避免的短沟道效应(SCE)如:漏至势垒降低效应、阈值电压滚降效应、亚阈斜率退化等。围栅硅纳米线MOSFET(GAA-MOSFETS)器件具有优良的栅控能力和载流子输运特性,被视为可以将器件尺寸缩小到极限尺寸的理想器件结构。通过将量子运输效应应用到器件建模中,针对P型GAAM...

  作者：刘一婷; 宫兴; 闫娜 刊期： 2018年第02期

• 芯片组装的失效机理及分析

  介绍了几种有代表性的芯片组装模式,并结合实例详细探讨了由多种不同原因导致的几种焊接与粘接的失效模式。针对不同失效模式的特点,对芯片在粘接或焊接过程中可能会在不同部位、以不同形式出现的脱落、脱焊与断裂等,提出多种不同的检测手段。以最大程度避免出现组装失效为目的,剖析具体的粘接焊接原理与失效机制。在符合国家标准的常规生产检测...

  作者：贺玲; 刘洪涛 刊期： 2018年第02期

• LPCVD Si3N4工艺中副产物NH4Cl去除的研究

  低压化学气相淀积氮化硅薄膜,是集成电路制造工艺的基础工序之一,氮化硅薄膜的颗粒度、折射率是影响薄膜质量的重要参数。低压淀积氮化硅薄膜反应过程中的副产物NH4Cl是影响氮化硅薄膜颗粒的主要因素,副产物过多导致氮化硅薄膜中产生富硅现象,使折射率高于2.0,导致腐蚀氮化硅的速率较慢,影响腐蚀效果。在CMOS集成电路标准工艺中,低压淀积Si3N4薄...

  作者：林洪春; 朱应强; 薛斌 刊期： 2018年第02期

• 氮化钽薄膜压力传感器研究

  介绍了溅射薄膜压力传感器的技术要求、工作原理、结构设计、版图设计以及试验结果,并对研究过程中的关键技术及解决方法进行了探讨。传感器是依据溅射薄膜应变原理,选用圆平膜片感压膜片、17-4PH不锈钢作为弹性材料,采用机械研磨抛光技术制备压力传感器弹性体基底,利用直流离子束反应溅射及刻蚀技术制备了氮化钽薄膜压力传感器芯片。最后通过激...

  作者：谢贵久; 周国方; 何峰; 蓝镇立; 王栋; 龚杰洪; 季惠明 刊期： 2018年第02期

• SCNN无铅压电陶瓷技术研究

  随着时代的进步,压电陶瓷的应用范围越来越广泛。其在机械、电子、通讯、精密控制、军事等领域,尤其是在信息的检测、转化、处理和储存等信息技术领域起着极其重要的作用。然而,目前市场上绝大部分的压电材料是含铅压电陶瓷,由于铅对人体和环境具有危害性,发展具有自主知识产权的无铅压电材料替代传统铅基压电陶瓷(PZT)成为我国材料研究者一项紧...

  作者：姜硕 刊期： 2018年第02期